Estudio de la estructura de bandas del seleniuro de indio mediante medidas ópticas bajo presión hidrostática

Abstract

El objetivo de este trabajo ha sido el estudio de propiedades ópticas del semiconductor laminar seleniuro de indio (InSe), perteneciente a la familia de los semiconductores III-VI, en función de la presión. El estudio de las propiedades ópticas de transmitancia, absorción, y luminiscencia en función de la presión mediante la utilización de una celda de yunques de diamante nos ha permitido obtener una imagen relativamente completa de la estructura de bandas electrónicas en este material y una mejor comprensión de las interacciones que tienen lugar en los semiconductores laminares de la familia III-VI. Adicionalmente, el estudio de las simetrías de las bandas electrónicas y su evolución con la presión nos ha permitido establecer las posibles transiciones electrónicas responsables de la evolución de las constantes dieléctricas y de las masas efectivas de electrones y huecos en este material y sus evoluciones con la presión. Finalmente, hemos analizado un cálculo teórico de las masas efectivas de electrones y huecos en los laminares III-VI mediante el modelo kp que nos ha permitido estimar la evolución de las masas efectivas con la presión en el seleniuro de indio.