Desarrollo e implementación de potenciales de intercambio exacto para el estudio de materiales de banda intermedia
- Perla Wahnón Benarroch Director
- César Tablero Crespo Co-director
Defence university: Universidad Politécnica de Madrid
Fecha de defensa: 09 May 2005
- Antonio Luque López Chair
- Pedro Jesús Salas Peralta Secretary
- José Carlos Conesa Cegarra Committee member
- José Manuel García de la Vega Committee member
- Jose Bruno Ramiro Diaz Committee member
Type: Thesis
Abstract
La presente tesis desarrolla el estudio de dos posibles materiales fotovoltaicos cuyos rendimientos fotovoltaicos están mejorados por la presencia de una banda intermedia que hace de paso entre las bandas de valencia y de conducción: el Ga4As4Ti y el Ga4P3Ti. El estudio de los dos materiales se plantea de forma teórica tratando de resolver la ecuación de Schrödinger. Existen numerosos métodos para resolver el problema que se plantea aquí, cada uno de lo ellos conlleva unas u otras aproximaciones. En la tesis se decidió el método a elegir en base a criterios de eficacia y del tamaño del sistema que se quiere estudiar, ya que están compuestos por un número grande de átomos. El método elegido fue la teoría del funcional de la densidad.