Desarrollo e implementación de potenciales de intercambio exacto para el estudio de materiales de banda intermedia
- Perla Wahnón Benarroch Director/a
- César Tablero Crespo Codirector/a
Universidad de defensa: Universidad Politécnica de Madrid
Fecha de defensa: 09 de mayo de 2005
- Antonio Luque López Presidente/a
- Pedro Jesús Salas Peralta Secretario/a
- José Carlos Conesa Cegarra Vocal
- José Manuel García de la Vega Vocal
- Jose Bruno Ramiro Diaz Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
La presente tesis desarrolla el estudio de dos posibles materiales fotovoltaicos cuyos rendimientos fotovoltaicos están mejorados por la presencia de una banda intermedia que hace de paso entre las bandas de valencia y de conducción: el Ga4As4Ti y el Ga4P3Ti. El estudio de los dos materiales se plantea de forma teórica tratando de resolver la ecuación de Schrödinger. Existen numerosos métodos para resolver el problema que se plantea aquí, cada uno de lo ellos conlleva unas u otras aproximaciones. En la tesis se decidió el método a elegir en base a criterios de eficacia y del tamaño del sistema que se quiere estudiar, ya que están compuestos por un número grande de átomos. El método elegido fue la teoría del funcional de la densidad.