GABRIEL
DIAZ ORUETA
Investigador en el periodo 2002-2024
Departamento: INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, CONTROL, TELEMÁTICA Y QUÍMICA APLICADA A LA INGENIERÍA
Centro: E.T.S. DE INGENIEROS INDUSTRIALES
Doctor por la Universidad Autónoma de Madrid con la tesis Cálculos AB-Initio de la estructura electrónica de defectos e impurezas en silicio 1988.