GABRIEL
DIAZ ORUETA
Investigador no período 2002-2024
Departamento: INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, CONTROL, TELEMÁTICA Y QUÍMICA APLICADA A LA INGENIERÍA
Centro: E.T.S. DE INGENIEROS INDUSTRIALES
Doutor pola Universidad Autónoma de Madrid coa tese Cálculos AB-Initio de la estructura electrónica de defectos e impurezas en silicio 1988.