GABRIEL
DIAZ ORUETA
Investigador en el període 2002-2024
Departament: INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, CONTROL, TELEMÁTICA Y QUÍMICA APLICADA A LA INGENIERÍA
Centre: E.T.S. DE INGENIEROS INDUSTRIALES
Doctor per la Universidad Autónoma de Madrid amb la tesi Cálculos AB-Initio de la estructura electrónica de defectos e impurezas en silicio 1988.